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(1)电力电子半导体?？榛耗？榛?，按起初的定义是把两个或两个以上的电力半导体芯片按一定的电路结构相联结，用RTV、弹性硅凝胶、环氧树脂等?；げ牧?，密封在一个绝缘的外壳内，并且与导热底板相绝缘而成的。自从?？樵硪氲缌Φ缱蛹际趿煊蛞岳?，已开发和生产出多种内部电路相联接形式的电力半导体?？?，诸如双向晶闸管、电力MOSFET以及绝缘栅双极型晶闸管(IGBT)等?？?，使得?？榧际醯靡愿斓姆⒄?。伴随着MOS结构为基础的现代半导体器件研发成功，人们把器件芯片与控制电路、驱动电路、过压、过流、过热和欠压?；さ缏芬约白哉锒系缏纷楹掀鹄?，密封装在同一绝缘外壳内称之为智能化电力半导体?？?，即IPM。为了提高整个系统的可靠性，以适应电力电子技术向高频化、小型化、?？榛较蚍⒄?。在IPM的基础上，再增加一些逆变器的功能，使逆变电路(IC)的所有器件以芯片形式封装在一个?？橹?，便成为用户专用电力?？?ASPM)，这样的?？楦欣诟咂祷?。为了能使逻辑电平为几伏、几毫安的集成电路IC与几百伏、几千伏的电力半导体器件相集成，以满足电力事业的发展，人们采用混合封装方法制造出能适应于各种场合的集成电力电子?？?IPEM)。
(2)智能晶闸管?？椋壕д⒐苤悄苣？镮TPM(Intelligent Thyristor Power Mudule)，是把晶闸管主电路和移相触发系统以及过电流、过电压?；?、传感器等共同封装在一个塑料外壳内制成的，使有关电路成为了一个整体。该晶闸管是电流控制型电力半导体器件，需要大的脉冲触发功率才能驱动晶闸管，该?？樽銎鹄淳哂幸欢讯?。
(3)IGBT智能?？椋?0年代，绝缘栅双极晶体管IGBT器件研发成功。由于IGBT器件具有电压型驱动、驱动功率小、开关速度高、饱和压降低以及可耐高电压、大电流等一系列应用上的优点，并可用IC来实现驱动和控制，进而发展到集成IGBTA芯片、快速二极管芯片、控制和驱动电路、过压、过流、过热和欠压?；さ缏?，箱位电路以及自诊断电路等封装在同一绝缘外壳内，具有智能化的IGBT?？?IPM)。它为电力电子逆变器的高频化、小型化、高可靠性和高性能创造了器件基础。
(4)通信电源?？椋合纸竦缌Φ缱蛹际踉诘缭茨？橹蟹⒄沟那魇剖堑偷缪?、大电流。在次级整流电路中选用同步整流技术成为一种低损耗的方法。由于功率MOSEFT的导通电阻很低，能提高电源效率，因而在采用隔离Buck电路的DC/DC变换器中已开始应用。同步整流技术是通过控制功率MOSEFT的驱动电路，实现整流功能的技术。一般驱动频率固定，大约可达200kHz以上，门限驱动可以采用交叉合(Crosscoupled)或外加驱动信号配合死区时间控制实现。同步整流技术不仅提高了电源效率，而且给通信电源?？榇戳诵碌慕?，使得同步整流成为一种主流电源技术，应用于广泛的工业生产领域。